影响离子镀膜层质量的工艺参数

　　影响离子镀膜层质量的工艺参数

　　①基片偏压.

　　离子镀膜基片施加负偏压后;各种离子和高能中性粒子流以较高的能量轰击基片表面.基片负偏压的提高，会使基片表面获得更高的能量，可能形成伪扩散层，提高膜层与基体的附着力，还可以改变膜层的组织、结构和性能，如细化晶粒，随着基片负偏压的提高，膜层组织变细，但是，基片负偏压的提高也会产生一些不利的影响，如反溅射作用的增加，使膜层表面受到刻蚀，使表面光洁程度降低，空心阴极离子镀铬时，基片负偏压对铬膜表面光泽度的影响，基片负偏压的提高还会使沉积速率降低，使基片温度升高，电弧离子镀tin膜基片负偏压对沉积速率的影响，因此，应根据不同的离子镀方法、不同的膜层及使用要求选择适当的基片负偏压。

　　②镀膜真空度和反应气体分压.

　　离子镀膜真空度对膜层组织、性能的影响与真空蒸镀时的影响规律相似，但反应气体分压对反应离子镀镀制化合物膜的成分、结构和性能有直接的影响，因此反应气体的分压应根据离子镀方法，化合物膜层的成分、性质、使用要求以及设备来选择

　　③基片温度.

　　离子镀膜基片温度的高低直接影响着膜层的组织、结构和性能。一般情况下，温度的增高有利于提高膜层与基片的附着力，有利于改善膜层的组织与性能。但是，温度过高，则会使沉积速率降低，有时还会使膜层晶粒粗大，性能变坏;另外，基片温度的选择还要受基片材料性质的限制，如钢材的回火温度等

　　④蒸发源功率.

　　蒸发源功率对蒸发速率有直接的影响，进而影响沉积速率，影响膜层的组织、性能，对反应沉积化合膜时蒸发源功率也将影响膜层的成分。